BSC098N10NS5ATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC098N10NS5ATMA1 por Infineon e BSC190N15NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC098N10NS5ATMA1 - 100V 60A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSC098N10NS5ATMA1 ✓ AtivoInfineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC098N10NS5ATMA1 | BSC190N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,55 | $0,98 |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 3 (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 60 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 9.8 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max +/-] | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | 2.5 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 69 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 63 A (Tc=25C) | — |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | 240 A (Tc=25C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) typ | 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) max | 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55 C to +150 C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 | 1 |
| Shipping Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 19 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |