BSC098N10NS5ATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC098N10NS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC190N15NS3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC098N10NS5ATMA1 BSC190N15NS3GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.55 $0.98
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 60 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-] 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Tc=25C) 69 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Diode Continuous Forward Current (IS) 63 A (Tc=25C) —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 240 A (Tc=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) typ 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) max 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55 C to +150 C
패키지 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 1
Shipping Packaging Tape & Reel (T/R) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W

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