BSC118N10NSGATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC118N10NSGATMA1 von Infineon und BSC100N10NSFGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC118N10NSGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $1,49
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 2 —
FET Type N-Channel N-Channel
Mode Enhancement (Normal Level) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 71 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 114 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C —
Technology Trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Lead Plating Pb-free —
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes —
JEDEC Qualification Qualified per target application —
Target Application High-frequency SMPS, synchronous rectification —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current (ID), Ta — 11.4 A
Continuous Drain Current (ID), Tc — 90 A
Power Dissipation (PD), Tc — 156 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 10 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (for rated RDS(on))

Datenblätter & Ressourcen

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