BSC265N10LSFGATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC265N10LSFGATMA1 von Infineon und BSC360N15NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC265N10LSFGATMA1 BSC360N15NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,72 $0,82
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 6.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
Technology OptiMOS 2 (TrenchFET) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C (junction)
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Avalanche Rated Yes —
Series OptiMOS 2 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC360N15NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Avalanche Energy Rated — Yes

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