BSC265N10LSFGATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC265N10LSFGATMA1 por Infineon e BSC360N15NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC265N10LSFGATMA1 BSC360N15NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,72 $0,82
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 6.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
Technology OptiMOS 2 (TrenchFET) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C (junction)
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Avalanche Rated Yes —
Series OptiMOS 2 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC360N15NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Avalanche Energy Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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