BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC360N15NS3GATMA1 von Infineon und BSC0911NDATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC360N15NS3GATMA1 BSC0911NDATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C (junction) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Betriebstemperatur — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Datenblätter & Ressourcen

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