BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC0911NDATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC360N15NS3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC0911NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 - 25V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

BSC0911NDATMA1 - 25V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

BSC0911NDATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC360N15NS3GATMA1 BSC0911NDATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $0.46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55°C to +150°C (junction) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSLレベル 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
動作温度 — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

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