BSD316SNH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSD316SNH6327XTSA1 von Infineon und BSS214NWH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSD316SNH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,11 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family Small Signal N-Channel MOSFET —
Polarity N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 1.4 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta=25C) —
Gehäuse SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-SOT323 (SOT-323-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Operating Mode Enhancement-mode —
Lead Plating Pb-free (lead-free) —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature range] —
Part Number — BSS214NWH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
Betriebstemperatur — -55C to +150C (junction)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead-Free — Yes

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