BSL207SPH6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSL207SPH6327XTSA1 von Infineon und BSL606SNH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSL207SPH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,33 $0,19
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS3 trench MOSFET
Drain to Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25C 6 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 2 W (Ta) —
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V] —
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 2.5 V, 4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Gehäuse TSOP-6 (PG-TSOP6-6) PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C —
Series OptiMOS™ —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free plating)
Pin-Anzahl 6 —
Transistortyp — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (Tj)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern