BSL207SPH6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSL207SPH6327XTSA1 por Infineon e BSL606SNH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSL207SPH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,33 $0,19
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS3 trench MOSFET
Drain to Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25C 6 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 2 W (Ta) —
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V] —
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 2.5 V, 4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Encapsulamento TSOP-6 (PG-TSOP6-6) PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C —
Series OptiMOS™ —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Contagem de pinos 6 —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (Tj)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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