BSL207SPH6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSL207SPH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSL606SNH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ 활성
Infineon
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSL207SPH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.33 $0.19
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS3 trench MOSFET
Drain to Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25C 6 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 2 W (Ta) —
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V] —
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 2.5 V, 4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
패키지 TSOP-6 (PG-TSOP6-6) PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -55C to +150C —
Series OptiMOS™ —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS 상태 Compliant Compliant (Pb-free plating)
핀 수 6 —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
동작 온도 범위 — -55C to +150C (Tj)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
MSL 레벨 — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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