BSL606SNH6327XTSA1 vs BSL207SPH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSL606SNH6327XTSA1 von Infineon und BSL207SPH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSL606SNH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,19 $0,33
Transistortyp N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Technology OptiMOS3 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (Tj) —
Gehäuse PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) TSOP-6 (PG-TSOP6-6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS-Status Compliant (Pb-free plating) Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — P-Channel
Drain to Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 6 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 2 W (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V]
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 2.5 V, 4.5 V
Betriebstemperatur — -55C to +150C
Series — OptiMOS™
Automotive Qualification — AEC-Q101
Pin-Anzahl — 6

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