BSL606SNH6327XTSA1 vs BSL207SPH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSL606SNH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSL207SPH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 ✓ 활성
Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSL606SNH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.19 $0.33
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Technology OptiMOS3 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
동작 온도 범위 -55C to +150C (Tj) —
패키지 PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) TSOP-6 (PG-TSOP6-6)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS 상태 Compliant (Pb-free plating) Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — P-Channel
Drain to Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 6 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 2 W (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V]
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 2.5 V, 4.5 V
동작 온도 — -55C to +150C
Series — OptiMOS™
Automotive Qualification — AEC-Q101
핀 수 — 6

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