BSL606SNH6327XTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSL606SNH6327XTSA1 von Infineon und BSS606NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSL606SNH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,19 $0,13
Transistortyp N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS3 trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (Tj) —
Gehäuse PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) PG-SOT-89 (TO-243AA)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Automotive (per family page)
RoHS-Status Compliant (Pb-free plating) Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per SOT-89 family standard)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS Small Signal/Power
Continuous Drain Current (ID) — 3.2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
On-Resistance (RDS(on)) — 60 mΩ max @ VGS=10 V
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Reel Quantity — 1000 pcs

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