BSL606SNH6327XTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSL606SNH6327XTSA1 par Infineon et BSS606NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSL606SNH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,19 $0,13
Type de transistor N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS3 trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) —
Boîtier PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) PG-SOT-89 (TO-243AA)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Automotive (per family page)
Statut RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per SOT-89 family standard)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS Small Signal/Power
Continuous Drain Current (ID) — 3.2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
On-Resistance (RDS(on)) — 60 mΩ max @ VGS=10 V
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Reel Quantity — 1000 pcs

Fiches techniques et ressources

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