BSL606SNH6327XTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSL606SNH6327XTSA1 por Infineon e BSS606NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSL606SNH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,19 $0,13
Tipo de transistor N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS3 trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (Tj) —
Encapsulamento PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) PG-SOT-89 (TO-243AA)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Automotive (per family page)
Status RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per SOT-89 family standard)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS Small Signal/Power
Continuous Drain Current (ID) — 3.2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
On-Resistance (RDS(on)) — 60 mΩ max @ VGS=10 V
Temperatura de junção de operação — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Reel Quantity — 1000 pcs

Fichas técnicas e recursos

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