BSO613SPVGXUMA1 vs BSP135H6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSO613SPVGXUMA1 von Infineon und BSP135H6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSO613SPVGXUMA1 BSP135H6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,98 $0,43
FET Type P-Channel N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -3.44 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Gehäuse PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Trench) SIPMOS (planar DMOS)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) -55C to +150C (junction, typical)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] —
MSL-Level MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes (per Infineon OptiMOS family) —
Pin-Anzahl 8 (6 active, 2 thermal/NC) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP135H6327XTSA1
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode — Normally ON (depletion)

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