BSO613SPVGXUMA1 vs BSP135H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSO613SPVGXUMA1 por Infineon e BSP135H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSO613SPVGXUMA1 BSP135H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,98 $0,43
FET Type P-Channel N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -3.44 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Encapsulamento PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Trench) SIPMOS (planar DMOS)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) -55C to +150C (junction, typical)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] —
Nível MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes (per Infineon OptiMOS family) —
Contagem de pinos 8 (6 active, 2 thermal/NC) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP135H6327XTSA1
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode — Normally ON (depletion)

Fichas técnicas e recursos

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