BSO613SPVGXUMA1 vs BSP135H6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSO613SPVGXUMA1 от Infineon и BSP135H6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSO613SPVGXUMA1 BSO613SPVGXUMA1 - P-Ch 60V 3.44A MOSFET | Infineon | Load Switch

BSO613SPVGXUMA1 - P-Ch 60V 3.44A MOSFET | Infineon | Load Switch

BSO613SPVGXUMA1 ✓ Активен
Infineon
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSO613SPVGXUMA1 BSP135H6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,98 $0,43
FET Type P-Channel N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -3.44 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Корпус PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Trench) SIPMOS (planar DMOS)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) -55C to +150C (junction, typical)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] —
Уровень MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) 1
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes (per Infineon OptiMOS family) —
Число выводов 8 (6 active, 2 thermal/NC) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP135H6327XTSA1
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode — Normally ON (depletion)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену