BSO613SPVGXUMA1 vs BSS127H6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSO613SPVGXUMA1 von Infineon und BSS127H6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSO613SPVGXUMA1 BSS127H6327XTSA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,98 $0,03
FET Type P-Channel N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -3.44 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Gehäuse PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Trench) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] 4.5 V (logic level, rated)
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
MSL-Level MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes (per Infineon OptiMOS family) —
Pin-Anzahl 8 (6 active, 2 thermal/NC) 3
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +150 C
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Halogenfrei — Yes, per IEC 61249-2-21

Datenblätter & Ressourcen

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