BSO613SPVGXUMA1 vs BSS127H6327XTSA2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSO613SPVGXUMA1 от Infineon и BSS127H6327XTSA2 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSO613SPVGXUMA1 BSO613SPVGXUMA1 - P-Ch 60V 3.44A MOSFET | Infineon | Load Switch

BSO613SPVGXUMA1 - P-Ch 60V 3.44A MOSFET | Infineon | Load Switch

BSO613SPVGXUMA1 ✓ Активен
Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSO613SPVGXUMA1 BSS127H6327XTSA2
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,98 $0,03
FET Type P-Channel N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -3.44 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Корпус PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Trench) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] 4.5 V (logic level, rated)
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Уровень MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes (per Infineon OptiMOS family) —
Число выводов 8 (6 active, 2 thermal/NC) 3
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Рабочая температура перехода — -55 C to +150 C
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Без галогенов — Yes, per IEC 61249-2-21

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену