BSP135H6327XTSA1 vs BSO613SPVGXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP135H6327XTSA1 von Infineon und BSO613SPVGXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP135H6327XTSA1 BSO613SPVGXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,43 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) —
Gehäuse PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) OptiMOS (Trench)
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)
Pin-Anzahl — 8 (6 active, 2 thermal/NC)

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