BSP135H6327XTSA1 vs BSO613SPVGXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP135H6327XTSA1 por Infineon e BSO613SPVGXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP135H6327XTSA1 BSO613SPVGXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,43 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) OptiMOS (Trench)
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)
Contagem de pinos — 8 (6 active, 2 thermal/NC)

Fichas técnicas e recursos

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