BSP135H6327XTSA1 vs BSO613SPVGXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP135H6327XTSA1 par Infineon et BSO613SPVGXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP135H6327XTSA1 BSO613SPVGXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,43 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) —
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) OptiMOS (Trench)
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)
Nombre de broches — 8 (6 active, 2 thermal/NC)

Fiches techniques et ressources

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