BSR316PH6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSR316PH6327XTSA1 von Infineon und BSR315PH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSR316PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,22 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR316PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Series OptiMOS OptiMOS P-Channel
FET Type P-Channel Enhancement Mode P-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA -360 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] —
On-State Resistance RDS(on) max 1800 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.7 V typical, -2.5 V max —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (Tc) 500 mW —
Gehäuse PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) PG-SC59-3 / SOT-23-3
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Qualification Automotive —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 —
Polarity P-Channel —
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max VGS)
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
Pin-Anzahl — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

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