BSR316PH6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSR316PH6327XTSA1 por Infineon e BSR315PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSR316PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,22 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR316PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Series OptiMOS OptiMOS P-Channel
FET Type P-Channel Enhancement Mode P-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA -360 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] —
On-State Resistance RDS(on) max 1800 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.7 V typical, -2.5 V max —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (Tc) 500 mW —
Encapsulamento PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) PG-SC59-3 / SOT-23-3
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Qualification Automotive —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 —
Polarity P-Channel —
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max VGS)
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
Contagem de pinos — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

Fichas técnicas e recursos

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