BSR316PH6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSR316PH6327XTSA1 par Infineon et BSR315PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSR316PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,22 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR316PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Series OptiMOS OptiMOS P-Channel
FET Type P-Channel Enhancement Mode P-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA -360 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] —
On-State Resistance RDS(on) max 1800 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.7 V typical, -2.5 V max —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (Tc) 500 mW —
Boîtier PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) PG-SC59-3 / SOT-23-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Qualification Automotive —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 —
Polarity P-Channel —
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max VGS)
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
Nombre de broches — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

Fiches techniques et ressources

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