BSS138L vs BSS138LT1G Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS138L von onsemi und BSS138LT1G von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS138L BSS138LT1G
Marke onsemi onsemi
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,02 $0,08
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement Mode —
VDS Drain-Source Voltage 50 V —
Continuous Drain Current (Ta) 200 mA —
Power Dissipation (Ta) 350 mW —
RDS(on) Max 3.5 ohm —
Technology Trench MOSFET, high cell density —
Gate Type Logic Level —
Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET Single FET
Switching Performance Fast switching, rugged, reliable —
Eingangskapazität [DATA_NEEDED: Ciss] —
VGS Gate-Source Voltage [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Packaging 3000 units per reel (tape and reel) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Continuous Drain Current (ID) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 225 mW (Ta)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Channel Mode — Enhancement Mode
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET
Typical Applications — Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters

Datenblätter & Ressourcen

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