BSS138L vs BSS138LT1G Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS138L por onsemi e BSS138LT1G por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS138L BSS138LT1G
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,02 $0,08
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement Mode —
VDS Drain-Source Voltage 50 V —
Continuous Drain Current (Ta) 200 mA —
Power Dissipation (Ta) 350 mW —
RDS(on) Max 3.5 ohm —
Technology Trench MOSFET, high cell density —
Gate Type Logic Level —
Encapsulamento SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET Single FET
Switching Performance Fast switching, rugged, reliable —
Capacitância de entrada [DATA_NEEDED: Ciss] —
VGS Gate-Source Voltage [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Packaging 3000 units per reel (tape and reel) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Continuous Drain Current (ID) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 225 mW (Ta)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Channel Mode — Enhancement Mode
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET
Typical Applications — Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters

Fichas técnicas e recursos

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