BSS138L vs BSS138LT1G Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS138L por onsemi y BSS138LT1G por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS138L BSS138LT1G
Marca onsemi onsemi
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,02 $0,08
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement Mode —
VDS Drain-Source Voltage 50 V —
Continuous Drain Current (Ta) 200 mA —
Power Dissipation (Ta) 350 mW —
RDS(on) Max 3.5 ohm —
Technology Trench MOSFET, high cell density —
Gate Type Logic Level —
Encapsulado SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET Single FET
Switching Performance Fast switching, rugged, reliable —
Capacitancia de entrada [DATA_NEEDED: Ciss] —
VGS Gate-Source Voltage [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Packaging 3000 units per reel (tape and reel) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Continuous Drain Current (ID) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 225 mW (Ta)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Channel Mode — Enhancement Mode
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET
Typical Applications — Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters

Hojas de datos y recursos

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