BSS138LT1G vs MMBF170LT1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS138LT1G von onsemi und MMBF170LT1 von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS138LT1G MMBF170LT1
Marke onsemi onsemi
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,08 $0,09
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) 500 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) —
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET —
Channel Mode Enhancement Mode —
Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS-Status Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) Compliant (per onsemi product page)
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters —
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Part Number — MMBF170LT1
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
Gehäuse / Bauform — SOT-23-3 (TO-236)
Pin-Anzahl — 3
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)
Technology — DMOS
Polarity — N-Channel

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