BSS138LT1G vs MMBF170LT1 比較

詳細な並列比較: BSS138LT1G メーカー: onsemi および MMBF170LT1 メーカー: onsemi。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSS138LT1G MMBF170LT1
ブランド onsemi onsemi
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.08 $0.09
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) 500 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) —
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET —
Channel Mode Enhancement Mode —
パッケージ SOT-23-3 (TO-236) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS ステータス Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) Compliant (per onsemi product page)
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters —
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Part Number — MMBF170LT1
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
動作温度範囲 — -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
パッケージ / ケース — SOT-23-3 (TO-236)
ピン数 — 3
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)
Technology — DMOS
Polarity — N-Channel

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