BSS192PH6327FTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS192PH6327FTSA1 von Infineon und BSS127H6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS192PH6327FTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,34 $0,03
FET Type P-Channel N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
Gehäuse PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) AEC-Q101
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant (lead-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +150 C
Pin-Anzahl — 3
dv/dt Rated — Yes
Halogenfrei — Yes, per IEC 61249-2-21
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datenblätter & Ressourcen

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