BSS192PH6327FTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS192PH6327FTSA1 por Infineon e BSS127H6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS192PH6327FTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,34 $0,03
FET Type P-Channel N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
Encapsulamento PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) AEC-Q101
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
Status RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant (lead-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Contagem de pinos — 3
dv/dt Rated — Yes
Livre de halogênio — Yes, per IEC 61249-2-21
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação