BSS192PH6327FTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS192PH6327FTSA1 par Infineon et BSS127H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS192PH6327FTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,34 $0,03
FET Type P-Channel N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
Boîtier PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) AEC-Q101
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant (lead-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Nombre de broches — 3
dv/dt Rated — Yes
Sans halogène — Yes, per IEC 61249-2-21
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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