BSS192PH6327FTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS192PH6327FTSA1 von Infineon und BSS87H6327FTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS192PH6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,34 $0,18
FET Type P-Channel N-Channel enhancement-mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
Gehäuse PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) AEC-Q101 qualified
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Pin-Anzahl — 3 (Gate / Drain / Source)
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Process Technology — Vertical DMOS

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