BSS192PH6327FTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS192PH6327FTSA1 par Infineon et BSS87H6327FTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS192PH6327FTSA1 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,34 | $0,18 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel enhancement-mode |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 190 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 1 W (Ta) | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8 V, 10 V | — |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] | — |
| Vgs(th) (Max) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] | — |
| Vgs(th) (Typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] | — |
| Boîtier | PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] | -55C to +150C (junction) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per distributor listing) | AEC-Q101 qualified |
| Series | SIPMOS Small-Signal-Transistor | — |
| Part Status | Active | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate / Drain / Source) |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |