BSS192PH6327FTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS192PH6327FTSA1 por Infineon e BSS87H6327FTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS192PH6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,34 $0,18
FET Type P-Channel N-Channel enhancement-mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
Encapsulamento PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) AEC-Q101 qualified
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
Status RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Contagem de pinos — 3 (Gate / Drain / Source)
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Process Technology — Vertical DMOS

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação