BSS214NWH6327XTSA1 vs BSD316SNH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS214NWH6327XTSA1 von Infineon und BSD316SNH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS214NWH6327XTSA1 BSD316SNH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,15 $0,11
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
Gehäuse PG-SOT323 (SOT-323-3) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — Small Signal N-Channel MOSFET
Polarity — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 1.4 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta=25C)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Operating Mode — Enhancement-mode
Lead Plating — Pb-free (lead-free)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature range]

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