BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS806NEH6327XTSA1 Vergleich
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Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | BSS308PEH6327XTSA1 | BSS806NEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,11 | $0,14 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) | — |
| Transistortyp | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 20 V (maximum) |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | 2.3 A (Ta) |
| RDS(on) Max | 80 mΩ at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| Betriebstemperaturbereich | -55 °C to +150 °C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gehäuse / Bauform | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | 3 | — |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Standard Reel Quantity | 3000 pcs | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Part Number | — | BSS806NEH6327XTSA1 |
| Mode of Operation | — | Enhancement-mode |
| On-Resistance RDS(on) | — | 57 mOhm (maximum) |
| Gehäuse | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Pin-Anzahl | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Yes (compliant) |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |