BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS806NEH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon y BSS806NEH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS308PEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,11 $0,14
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 20 V (maximum)
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 2.3 A (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulado / Carcasa PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
Estado RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Part Number — BSS806NEH6327XTSA1
Mode of Operation — Enhancement-mode
On-Resistance RDS(on) — 57 mOhm (maximum)
Encapsulado — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Yes (compliant)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)

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