BSS816NWH6327XTSA1 vs BSS123NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS816NWH6327XTSA1 von Infineon und BSS123NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 ✓ Aktiv
Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS816NWH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,14 $0,09
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal) —
Transistortyp MOSFET, N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
RDS(on) max @ VGS=4.5V 160 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55 °C to +150 °C (junction)
Gehäuse SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (automotive)
Technology OptiMOS 2 trench MOSFET —
ESD Protection Yes (integrated, per Infineon datasheet) —
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free —
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

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