BSS816NWH6327XTSA1 vs BSS123NH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS816NWH6327XTSA1 por Infineon e BSS123NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 ✓ Ativo
Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS816NWH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,14 $0,09
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal) —
Tipo de transistor MOSFET, N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
RDS(on) max @ VGS=4.5V 160 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55 °C to +150 °C (junction)
Encapsulamento SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (automotive)
Technology OptiMOS 2 trench MOSFET —
ESD Protection Yes (integrated, per Infineon datasheet) —
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free —
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

Fichas técnicas e recursos

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