BSS87H6327FTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS87H6327FTSA1 von Infineon und BSS192PH6327FTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS87H6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,18 $0,34
FET Type N-Channel enhancement-mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Gehäuse PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Pin-Anzahl 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per distributor listing)
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Process Technology Vertical DMOS —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 250 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

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