BSS87H6327FTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS87H6327FTSA1 por Infineon e BSS192PH6327FTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS87H6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,18 $0,34
FET Type N-Channel enhancement-mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Encapsulamento PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Contagem de pinos 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per distributor listing)
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Process Technology Vertical DMOS —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 250 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

Fichas técnicas e recursos

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