BSS87H6327FTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS87H6327FTSA1 par Infineon et BSS192PH6327FTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS87H6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,18 $0,34
FET Type N-Channel enhancement-mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Boîtier PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Nombre de broches 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per distributor listing)
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Process Technology Vertical DMOS —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 250 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

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