BSS87H6327FTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS87H6327FTSA1 von Infineon und BSS606NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS87H6327FTSA1 BSS606NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,18 $0,13
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) 3.2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gehäuse PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT-89 (TO-243AA)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Pin-Anzahl 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per SOT-89 family standard)
Process Technology Vertical DMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS Small Signal/Power
Transistortyp — N-Channel MOSFET
On-Resistance (RDS(on)) — 60 mΩ max @ VGS=10 V
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +150°C
Qualification — Automotive (per family page)
Lead-Free — Yes
Reel Quantity — 1000 pcs

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