BSS87H6327FTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS87H6327FTSA1 par Infineon et BSS606NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS87H6327FTSA1 | BSS606NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,18 | $0,13 |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 260 mA (Ta) | 3.2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | 1 W (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 ohm max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Boîtier | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) | PG-SOT-89 (TO-243AA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Nombre de broches | 3 (Gate / Drain / Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (Pb-free plating) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per SOT-89 family standard) |
| Process Technology | Vertical DMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS Small Signal/Power |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 60 mΩ max @ VGS=10 V |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Qualification | — | Automotive (per family page) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Reel Quantity | — | 1000 pcs |