BSS87H6327FTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS87H6327FTSA1 제조: Infineon 및 BSS606NH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS87H6327FTSA1 BSS606NH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.18 $0.13
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) 3.2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
패키지 PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT-89 (TO-243AA)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +150C (junction) —
핀 수 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per SOT-89 family standard)
Process Technology Vertical DMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS Small Signal/Power
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
On-Resistance (RDS(on)) — 60 mΩ max @ VGS=10 V
동작 접합 온도 — -55°C to +150°C
Qualification — Automotive (per family page)
Lead-Free — Yes
Reel Quantity — 1000 pcs

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청