BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSC014N04LSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ017NE2LS5IATMA1 von Infineon und BSC014N04LSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ017NE2LS5IATMA1 BSC014N04LSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,64 $0,41
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (TA) 27 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V 1.7 mΩ —
On-Resistance Test Current 20 A —
Gate-Source Voltage (VGS) Rating ±16 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V @ 250 µA —
Total Gate Charge Qg 30 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 2000 pF @ VDS=12V —
Power Dissipation (TA) 2.1 W 3 W
Power Dissipation (TC) 50 W 115 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +150°C —
Gehäuse PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Series / Family OptiMOS 5 25V —
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC014N04LSTATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-Channel Trench)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V — 1.45 mΩ
R DS(on) typical @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +150°C
Pin-Anzahl — 8
MSL-Level — MSL1
Lead-Free — Yes

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